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Tech News Update (2024.02.15)

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작성자 까치
댓글 0건 조회 236회 작성일 24-02-16 10:36

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Tech News Update (2024.02.15)
[삼성증권 반도체 소부장/류형근]

■ SK하이닉스, 16단 HBM3e 기술 첫 공개

- 20일 ISSCC 2024 컨퍼런스에서 16단 HBM3e 기술을 세계 최초로 공개할 예정. 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 제품.

- HBM3e 12단 제품: 2023년 샘플을 고객사에 공급하고, 올해 상반기 본격 양산할 계획.

■ 2023년 글로벌 웨이퍼 출하량 14.3% 감소

- 14일 SEMI에 따르면, 2023년 글로벌 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년대비 14.3% 감소.

- 재고조정과 반도체 수요 둔화 영향. 2023년 하반기 출하량이 상반기 대비 9% 감소했다는 설명.

■ SK하이닉스, 낸드 인원 이동 잠정 중단

- 업계에 따르면, SK하이닉스는 작년 하반기부터 추진해오던 이천 낸드 생산 조직을 청주로 이동하는 방안을 잠정 중단.

- HBM 생산에 역량을 총 동원할 필요성이 증가. 현재 M15 P3에서 TSV 라인이 셋업.

■ LPCAMM

- On Device AI가 부상하며, LPCAMM이 차세대 DRAM으로 부상. 모바일용 DRAM 규격으로 전력 소모가 적은 LPDDR5 칩을 여러 개를 묶어 고용량을 구현한 제품.

- 삼성전자: 2023년 9월 전력효율을 70% 이상 높인 LPCAMM 제품을 공개 (초당 7.5Gb를 전송). 기존 규격인 SO-DIMM 대비 얇고, 작아 보다 얇고 가벼운 노트북 설계와 더 큰 배터리 탑재 공간 확보 가능. 인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마친 가운데 올해 상용화에 나설 전망.

- SK하이닉스: 2023년 11월 초당 9.6Gb를 전송하는 LPCAMM2를 개발. 전력 소비량을 50% 축소.

- 마이크론: 초당 9.6Gb를 전송하며, 크기와 전력 소비가 60% 넘게 작은 LPCAMM2 제품을 발표. 올해 상반기 출시 예상.

■ Tokyo Electron, 신규 식각 장비 2025년 출하 전망

- Tokyo Electron이 차세대 식각 장비를 2025년부터 고객사에 공급할 것이라고 발표. 400단 급 이상 3D NAND Channel Hole Etching을 타겟으로 개발된 장비. 현재 Channel Hole Etching 시장은 램리서치가 100% 점유율을 차지.

- 차세대 장비의 특징은 극저온에서 고속으로 식각이 진행된다는 점. 아르곤 가스, 불화탄소 (CF) 계열 가스, 새로운 Recipe 가스가 사용될 예정.

■ 하이브리드 본딩

- 14일 업계에 따르면 하이브리드 본딩 기술 확보를 위한 전략적 협력이 추진.

-  대표 협업 사례: Applied Materials와 BE Semiconductor, ASMPT와 EV그룹(EVG)이 있으며, Tokyo Electron과 시바우라 메카트로닉스, 한화정밀기계과 제우스 등도 협력을 진행 중.

감사합니다.
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