유안타증권 2024년 반도체 전망
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[유안타증권 반도체 백길현]
■ 2024년 반도체 전망:
차세대 기술 변화 모멘텀에 주목
▶ 반도체 공정 기술 트렌드 변화
1) Intel 주도의 BSPDN(Backside Power Delivery Network) 기술 적용 확대 전망.
동시에 2024~2025년 인텔 중심의 Foundry Capex 모멘텀이 부각될 것으로 전망된다는 점은 관련 Valuechain의 주가에 긍정적으로 작용할 것. 코미코(183300 KQ)에 대한 투자 의견 개시.
2)3D로의 구조 개선을 통한 DRAM 미세화 구현에 관심. 2026년, DRAM에 VCAT(Vertical Cell Array Transistor) 기술을 채택할 것. 2027~2028년, 3D DRAM은 비용 효율적인 구간에 진입하면서 메모리반도체 3사 내에서의 활용도가 빠르게 높아질 것으로 기대.
3) NAND 시장은 단기적으로 공급업체들의 단수 경쟁이 지속될 것. 이에 Etching 기술 고도화는 지속될 것.
다만 중장기적으로 NAND 공급업체들은 COP(Cell on Peri)에서 Wafer Bonding 기술로의 전환에 속도를 낼 것으로 전망. 오로스테크놀로지(322310 KQ)와 디아이티(110990 KQ)를 관심 종목으로 제시.
▶ 온디바이스 AI에 대한 관심
1) PC/스마트폰 위주로 관심이 많지만, XR/Wearable 등으로의 응용처 다변화를 기대.
이를 구현하기 위한 Infra 준비는 빠르게 진행되고, 반도체 및 전자부품(수동부품, 기판 등) 수요는 가파르게 상승할 것. 특히 Contents Growth가 견인하는 메모리반도체 시장의 수혜가 2024~2025년에 두드러질 것으로 전망.
2) 또한 스마트폰 및 XR 디바이스를 지원하는 LLW(Low Latency Wide I/O, 저지연성) DRAM 등 고객이 요구하는 ‘Customized 메모리반도체’ 요구가 증가하고 있음.
메모리반도체의 파운드리화를 전망하며, SK하이닉스(000660 KS)의 경쟁력이 추세적으로 강화될 가능성이 높다는 판단임.
3) Wide I/O DRAM의 경우, 선단공정 기반의 DRAM을 활용할 가능성이 높다는 점을 감안하면 1a/bnm Capa 잠식 가시성은 재차 높아질 것.
또한 TSV 공정을 요구한다는 점을 고려하면, Hybrid Bonding 중심의 후공정 기술 고도화에 따른 기조가 향후 1~2년 이어질 가능성을 배제할 수 없다는 판단임.
@자료링크: https://tinyurl.com/dmrr4s4m
■ 2024년 반도체 전망:
차세대 기술 변화 모멘텀에 주목
▶ 반도체 공정 기술 트렌드 변화
1) Intel 주도의 BSPDN(Backside Power Delivery Network) 기술 적용 확대 전망.
동시에 2024~2025년 인텔 중심의 Foundry Capex 모멘텀이 부각될 것으로 전망된다는 점은 관련 Valuechain의 주가에 긍정적으로 작용할 것. 코미코(183300 KQ)에 대한 투자 의견 개시.
2)3D로의 구조 개선을 통한 DRAM 미세화 구현에 관심. 2026년, DRAM에 VCAT(Vertical Cell Array Transistor) 기술을 채택할 것. 2027~2028년, 3D DRAM은 비용 효율적인 구간에 진입하면서 메모리반도체 3사 내에서의 활용도가 빠르게 높아질 것으로 기대.
3) NAND 시장은 단기적으로 공급업체들의 단수 경쟁이 지속될 것. 이에 Etching 기술 고도화는 지속될 것.
다만 중장기적으로 NAND 공급업체들은 COP(Cell on Peri)에서 Wafer Bonding 기술로의 전환에 속도를 낼 것으로 전망. 오로스테크놀로지(322310 KQ)와 디아이티(110990 KQ)를 관심 종목으로 제시.
▶ 온디바이스 AI에 대한 관심
1) PC/스마트폰 위주로 관심이 많지만, XR/Wearable 등으로의 응용처 다변화를 기대.
이를 구현하기 위한 Infra 준비는 빠르게 진행되고, 반도체 및 전자부품(수동부품, 기판 등) 수요는 가파르게 상승할 것. 특히 Contents Growth가 견인하는 메모리반도체 시장의 수혜가 2024~2025년에 두드러질 것으로 전망.
2) 또한 스마트폰 및 XR 디바이스를 지원하는 LLW(Low Latency Wide I/O, 저지연성) DRAM 등 고객이 요구하는 ‘Customized 메모리반도체’ 요구가 증가하고 있음.
메모리반도체의 파운드리화를 전망하며, SK하이닉스(000660 KS)의 경쟁력이 추세적으로 강화될 가능성이 높다는 판단임.
3) Wide I/O DRAM의 경우, 선단공정 기반의 DRAM을 활용할 가능성이 높다는 점을 감안하면 1a/bnm Capa 잠식 가시성은 재차 높아질 것.
또한 TSV 공정을 요구한다는 점을 고려하면, Hybrid Bonding 중심의 후공정 기술 고도화에 따른 기조가 향후 1~2년 이어질 가능성을 배제할 수 없다는 판단임.
@자료링크: https://tinyurl.com/dmrr4s4m
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